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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日：2024-03-25
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118228646A
主分类号：G06F30/33
分类号：G06F30/33;G06F30/337
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开一种PIN结构光电探测器响应度优化方法、装置及设备，涉及半导体器件技术领域，用于解决现有技术中只考虑I层区域的影响，导致响应度准确性较低的问题。包括：获取PIN结构光电探测器中P区域、I区域以及N区域的厚度以及掺杂浓度；将三个区域的厚度以及掺杂浓度作为变量，对PIN结构光电探测器进行几何结构模型构建，得到目标几何结构模型；采用目标几何结构模型进行仿真，得到仿真结果；基于仿真结果计算响应度，并确定响应度最大值。本发明考虑了P区域、I区域以及N区域的厚度和掺杂浓度等参数对响应度的影响，构建了自动化表征响应度的计算方法，通过关键参量的优化算法，提高了响应度计算的准确性。
主权项：1.一种PIN结构光电探测器响应度优化方法，其特征在于，方法包括：获取PIN结构光电探测器中目标区域的结构参数；所述目标区域包括P区域、I区域以及N区域，所述结构参数中至少包括各个目标区域的厚度以及掺杂浓度；将所述目标区域的结构参数作为变量，对PIN结构光电探测器进行几何结构模型构建，得到目标几何结构模型；采用所述目标几何结构模型进行仿真，得到仿真结果；基于所述仿真结果计算响应度，并确定响应度最大值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种PIN结构光电探测器响应度优化方法、装置及设备
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