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申请/专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日：2022-12-21
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118226575A
主分类号：G02B6/12
分类号：G02B6/12;G02B6/13;G02B6/132;G02B6/136
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开了一种硅光器件及制造方法，硅光器件包括：第一衬底的正面上依次设有的第一底层衬底层、第一介质层和设有第一无源器件和有源器件的第一器件层，第一介质层上设有将第一器件层覆盖的第二介质层；第二衬底的正面上依次设有的第三介质层、设有第二无源器件的第二器件层和第四介质层；第二衬底与第一衬底之间通过第四介质层和第二介质层相紧密贴合；第四介质层的背面上设有连接至有源器件的金属互连层，金属互连层的表面上设有通至第一底层衬底层中的端面深槽，第一底层衬底层的正面表面上设有与端面深槽位置对应的空腔结构。本发明可节约热预算，不仅能提高硅光器件性能，还能避免产生坍塌、剥落等工艺异常，提升了良率。
主权项：1.一种硅光器件，其特征在于，包括：第一衬底和第二衬底；所述第一衬底的正面上依次设有第一底层衬底层、第一介质层和第一器件层，所述第一器件层设有第一无源器件和有源器件，所述第一介质层上设有将所述第一器件层覆盖的第二介质层；所述第二衬底的正面上依次设有第三介质层、第二器件层和第四介质层，所述第二器件层设有第二无源器件；所述第二衬底与所述第一衬底之间通过所述第四介质层的表面和所述第二介质层的表面相紧密贴合，形成上下堆叠结构；所述第四介质层的背面上设有连接至所述有源器件的金属互连层，所述金属互连层的表面上设有通至所述第一底层衬底层中的端面深槽，所述第一底层衬底层的正面表面上设有与所述端面深槽位置对应的空腔结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海集成电路研发中心有限公司 一种硅光器件及制造方法
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