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申请/专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日：2023-12-15
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231364A
主分类号：H01L23/482
分类号：H01L23/482;H01L23/485;H01L23/48;H01L21/60
优先权：["20221221 US 18/086,579"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本公开提供一种电子装置及其制造方法。所述电子装置包含第一再分布结构和第一包封物。所述第一包封物支撑所述第一再分布结构且经配置以充当第一加强件以提供第二再分布结构。所述再分布结构具有安置在所述第一再分布结构上方的多个导电层。
主权项：1.一种电子装置，其包括：第一再分布结构；以及第一包封物，其支撑所述第一再分布结构且经配置以充当第一加强件以提供具有安置在所述第一再分布结构上方的多个导电层的第二再分布结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日月光半导体制造股份有限公司 电子装置及其制造方法
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