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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日：2022-12-19
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231379A
主分类号：H01L23/544
分类号：H01L23/544;H01L21/66
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：一种测试结构及其形成方法及测试方法，结构包括：基底，包括隔离层，基底露出隔离层顶面，隔离层一侧的基底中形成有与隔离层相邻的漏区，隔离层另一侧的基底中形成有与隔离层相邻的源区，漏区用于作为第一测试信号加载端，源区用于作为第二测试信号加载端；层间介质层，覆盖基底和隔离层；金属层，位于隔离层上方的层间介质层上，金属层在基底表面的投影覆盖隔离层，金属层用于作为第三测试信号加载端。本发明采用较为简单易实施的测试结构，实现对实际工作环境下隔离层的检测，有利于实现对隔离层的检测。
主权项：1.一种测试结构，其特征在于，包括：基底，包括隔离层，所述基底露出所述隔离层顶面，所述隔离层一侧的基底中形成有与隔离层相邻的漏区，所述隔离层另一侧的基底中形成有与隔离层相邻的源区，所述漏区用于作为第一测试信号加载端，所述源区用于作为第二测试信号加载端；层间介质层，覆盖所述基底和隔离层；金属层，位于所述隔离层上方的层间介质层上，所述金属层在所述基底表面的投影覆盖所述隔离层，所述金属层用于作为第三测试信号加载端。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 测试结构及其形成方法及测试方法
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