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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日：2022-12-20
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231222A
主分类号：H01L21/02
分类号：H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/78;H01L21/304
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：一种半导体结构及其形成方法、芯片的形成方法，其中方法包括：提供晶圆，所述晶圆包括基底和位于所述基底上的器件层，所述晶圆还包括若干芯片区和相邻芯片区之间的划片道区，所述晶圆具有所述器件层所在的第一面，以及与所述第一面相对的第二面；自所述第二面刻蚀所述晶圆，在所述划片道区内形成凹槽；在所述凹槽内形成缓冲层，所述缓冲层材料的韧性大于所述晶圆材料的韧性，在自所述第一面切割所述划片道区，使各芯片区之间相互分离的切割过程中，所述缓冲层可以起到缓冲的作用，并减少对划片道区相邻的芯片区的影响，从而提高切割获得的芯片的质量。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆包括基底和位于所述基底上的器件层，所述晶圆还包括若干芯片区和相邻芯片区之间的划片道区，所述晶圆具有所述器件层所在的第一面，以及与所述第一面相对的第二面；自所述第二面刻蚀所述晶圆，在所述划片道区内形成凹槽；在所述凹槽内形成缓冲层，所述缓冲层材料的韧性大于所述晶圆材料的韧性。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法、芯片的形成方法
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