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【发明公布】半导体装置及制造半导体装置的方法_安靠科技新加坡控股私人有限公司_202311705004.5 

申请/专利权人:安靠科技新加坡控股私人有限公司

申请日:2023-12-13

公开(公告)日:2024-06-21

公开(公告)号:CN118231358A

主分类号:H01L23/31

分类号:H01L23/31;H01L23/48;H01L21/56

优先权:["20221219 US 18/084,143"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.21#公开

摘要:在一个实例中,一种电子装置包括:衬底,其包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧,其中所述衬底包括在所述衬底的所述第二侧处的第一凹槽;第一电子组件,其在所述衬底的所述第一侧上方;以及树脂,其在所述第一凹槽中。所述衬底包括在所述衬底的所述第一侧处的浮动衬垫、在所述衬底的所述第一侧处的第二凹槽,以及在所述衬底的所述第一侧处的第三凹槽,其中所述浮动衬垫在所述第二凹槽与所述第三凹槽之间。本文中还公开了其它实例和相关方法。

主权项:1.一种电子装置,其包括:衬底,其包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧,其中所述衬底包括在所述衬底的所述第二侧处的第一凹槽;第一电子组件,其在所述衬底的所述第一侧上方;以及树脂,其在所述第一凹槽中;其中所述衬底包括在所述衬底的所述第一侧处的浮动衬垫、在所述衬底的所述第一侧处的第二凹槽,以及在所述衬底的所述第一侧处的第三凹槽,其中所述浮动衬垫在所述第二凹槽与所述第三凹槽之间。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 安靠科技新加坡控股私人有限公司 半导体装置及制造半导体装置的方法

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