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申请/专利权人：湖北江城芯片中试服务有限公司
申请日：2024-05-21
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231239A
主分类号：H01L21/28
分类号：H01L21/28;H01L21/321;H01L21/336;H01L21/67;H01F7/06;H01F6/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本申请实施例提供一种半导体结构的制备方法及半导体装置，其中，半导体结构的制备方法包括：提供基底，基底包括第一源漏极和第二源漏极；在第一源漏极和第二源漏极表面形成金属层；对含有金属层的基底进行第一次退火，形成高阻态金属硅化物薄膜；在磁场力的作用下，对含有高阻态金属硅化物薄膜的基底进行第二次退火，形成低阻态金属硅化物薄膜；其中，在磁场力的作用下，高阻态金属硅化物薄膜中的金属原子竖直地向第一源漏极和第二源漏极的内部运动。这样，能够形成更加均匀的低阻态金属硅化物薄膜，有利于提高半导体结构的性能。
主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供基底，所述基底包括第一源漏极和第二源漏极；在所述第一源漏极和所述第二源漏极表面形成金属层；对含有所述金属层的基底进行第一次退火，形成高阻态金属硅化物薄膜；在磁场力的作用下，对含有所述高阻态金属硅化物薄膜的基底进行第二次退火，形成低阻态金属硅化物薄膜；其中，在所述磁场力的作用下，所述高阻态金属硅化物薄膜中的金属原子竖直地向所述第一源漏极和所述第二源漏极的内部运动。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北江城芯片中试服务有限公司 半导体结构的制备方法及半导体装置
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