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【发明公布】半导体装置以及半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202180104188.2 

申请/专利权人:三菱电机株式会社

申请日:2021-11-18

公开(公告)日:2024-06-21

公开(公告)号:CN118235233A

主分类号:H01L21/60

分类号:H01L21/60;H01L23/48;H01L25/07;H01L25/18

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.21#公开

摘要:目的在于提供一种能够降低接合部件向特定的电极的附着的技术。半导体装置具有:半导体元件,其具有设置了第1电极以及第2电极的面;绝缘性的保护膜,其设置于半导体元件的面,露出第1电极以及第2电极;金属引线电极,其与从保护膜露出的第1电极接合;以及接合部件,其将从保护膜露出的第1电极与金属引线电极接合。金属引线电极包含抵接部,该抵接部是与保护膜抵接、在剖视观察时将接合部件与第2电极之间遮挡的凸部。

主权项:1.一种半导体装置,其具有:半导体元件,其具有设置了彼此分离的第1电极以及第2电极的面;绝缘性的保护膜,其设置于所述半导体元件的所述面,露出所述第1电极以及所述第2电极;金属引线电极,其与从所述保护膜露出的所述第1电极接合;以及接合部件,其将从所述保护膜露出的所述第1电极与所述金属引线电极接合,所述金属引线电极包含抵接部,该抵接部是与所述保护膜抵接、在剖视观察时将所述接合部件与所述第2电极之间遮挡的凸部。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 三菱电机株式会社 半导体装置以及半导体装置的制造方法

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