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申请/专利权人：安靠科技新加坡控股私人有限公司
申请日：2023-12-15
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231371A
主分类号：H01L23/498
分类号：H01L23/498;H01L21/48
优先权：["20221221 US 18/086,185"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：半导体装置和制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种电子装置包括具有顶侧和底侧的衬底、所述衬底的所述顶侧上方的电子组件，以及所述衬底的所述顶侧上方的囊封剂。所述衬底包括：介电结构，其包括第一介电层；以及导电结构，其在所述介电结构中且包括所述第一介电层中的第一导体分层，所述第一导体分层包括：第一迹线，其从所述第一介电层的顶侧暴露且部分地延伸穿过所述第一介电层；以及第一通孔，其从所述第一介电层的所述顶侧和所述第一介电层的底侧暴露且从所述第一介电层的所述顶侧向所述第一介电层的所述底侧延伸。所述第一迹线和所述第一通孔具有竖直延伸的非阶梯式侧壁。本文还公开其它实例。
主权项：1.一种电子装置，其特征在于，包括：衬底，其具有顶侧和底侧；电子组件，其在所述衬底的所述顶侧上方；以及囊封剂，其在所述衬底的所述顶侧上方并且接触所述电子组件的横向侧；其中所述衬底包括：介电结构，其包括第一介电层；以及导电结构，其在所述介电结构中且包括所述第一介电层中的第一导体分层；其中所述第一导体分层包括：第一迹线，其从所述第一介电层的顶侧暴露且部分地延伸穿过所述第一介电层；以及第一通孔，其从所述第一介电层的所述顶侧和所述第一介电层的底侧暴露且从所述第一介电层的所述顶侧向所述第一介电层的所述底侧延伸；其中所述导电结构与所述电子组件耦合；且其中所述第一迹线和所述第一通孔具有竖直延伸的非阶梯式侧壁。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安靠科技新加坡控股私人有限公司 半导体装置和制造半导体装置的方法
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