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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日：2021-04-21
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN115223947B
主分类号：H10B12/00
分类号：H10B12/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2022.11.08#实质审查的生效;2022.10.21#公开
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，包括：提供基底以及位于基底上分立的接触层；形成第二支撑层、第一牺牲层、第一支撑层和第二牺牲层；第二支撑层位于基底上，且还覆盖接触层；形成通孔，通孔贯穿第二牺牲层、第一支撑层和第一牺牲层，部分通孔还位于第二支撑层内，并露出接触层的顶面；剩余的第一支撑层作为牺牲部和支撑部，牺牲部和支撑部分别位于通孔相对的两侧；通孔露出的支撑部的厚度大于牺牲部的最小厚度；形成下电极，下电极覆盖通孔的侧壁和底部，下电极还与支撑部相接触；形成下电极后，去除第二牺牲层，并去除牺牲部以形成第一开口，还去除第一牺牲层。本发明实施例可以提高下电极的质量。
主权项：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底以及位于所述基底上分立的接触层；形成层叠设置的第二支撑层、第一牺牲层、第一支撑层和第二牺牲层；所述第二支撑层位于所述基底上，且还覆盖所述接触层；形成通孔，所述通孔贯穿所述第二牺牲层、所述第一支撑层和所述第一牺牲层，部分所述通孔还位于所述第二支撑层内，并露出所述接触层的顶面；剩余的所述第一支撑层作为牺牲部和支撑部，所述牺牲部和所述支撑部分别位于所述通孔相对的两侧；在垂直于所述基底的顶面的方向上，所述通孔露出的所述支撑部的厚度大于所述牺牲部的最小厚度；形成下电极，所述下电极覆盖所述通孔的侧壁和底部，所述下电极还与所述支撑部相接触；形成所述下电极后，去除所述第二牺牲层，并去除所述牺牲部以形成第一开口，还去除所述第一牺牲层;所述第二支撑层包括凸出部，且所述凸出部位于所述接触层的顶面；在形成所述通孔的步骤中，还刻蚀部分所述凸出部，以使所述通孔贯穿所述凸出部，并露出所述接触层的顶面；在形成所述下电极的步骤中，部分所述下电极还位于所述凸出部内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的制造方法及半导体结构
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