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申请/专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日：2023-03-24
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN116565079B
主分类号：H01L33/02
分类号：H01L33/02;H01L33/06;H01L33/30;H01L33/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2023.08.25#实质审查的生效;2023.08.08#公开
摘要：本发明涉及发光二极管制造领域，公开了一种外延结构及其制备方法，该外延结构包括衬底及依次层叠设置在所述衬底上的低温GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层及P型GaN层，所述有源层包括依次层叠的第一超晶格层、第二超晶格层和第三超晶格层，在所述第一超晶格层、第二超晶格层和第三超晶格层中，In浓度和Al浓度均交替震荡。本发明由于有源层中的第一超晶格层、第二超晶格层和第三超晶格层中的In浓度和Al浓度均交替震荡，使得小电流漏电得到改善，同时LED器件辐射复合效率上升，进而光效提升。
主权项：1.一种外延结构，包括衬底（1）及依次层叠设置在所述衬底（1）上的低温GaN缓冲层（2）、未掺杂GaN层（3）、N型GaN层（4）、有源层（5）、电子阻挡层（6）及P型GaN层（7），所述有源层（5）包括依次层叠的第一超晶格层（51）、第二超晶格层（52）和第三超晶格层（53），其特征在于，在所述第一超晶格层（51）、第二超晶格层（52）和第三超晶格层（53）中，In浓度和Al浓度均交替震荡；所述第一超晶格层（51）包括交替层叠的多个InGaN阱层和多个AlxGa1-xN垒层，所述第二超晶格层（52）包括交替层叠的多个InGaN阱层和多个AlyGa1-yN垒层，所述第三超晶格层（53）包括交替层叠的多个InGaN阱层和多个AlzGa1-zN垒层，其中，0＜x＜y＜z＜1，0.01＜x＜0.03，0.03＜y＜0.05，0.05＜z＜0.08。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 外延结构及其制备方法
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