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申请/专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日：2024-04-01
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231535A
主分类号：H01L33/00
分类号：H01L33/00;H01L33/12;H01L21/67
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明属于半导体发光二极管技术领域，本发明公开了一种发光二极管外延生长方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱层、AlGaN电子阻挡层以及掺杂Mg的P型GaN层，其中多量子阱层包括InGaN阱层、AIN层以及GaN垒层。通过在多量子阱层中的InGaN阱层生长过程中关掉In源和Ga源使生长中断两次，同时在阱层和垒层之间引入AIN层，使LED的发光效率得到提高。
主权项：1.一种发光二极管外延生长方法，其特征在于，包括：在衬底上依次生长缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱层、AlGaN电子阻挡层以及掺杂Mg的P型GaN层，其中，生长多量子阱层包括依次生长InGaN阱层、AIN层以及GaN垒层，进一步地，生长InGaN阱层具体为：控制温度600-800℃，通入N2、NH3、TMGa以及TMIn，首先生长1-3nm厚的第一InGaN层，完成后通过停止通入TMGa和TMIn实现生长中断15-30秒，随后生长1-3nm厚的第二InGaN层，完成后再通过停止通入TMGa和TMIn实现生长中断15-30秒，最后再生长1-3nm厚的第三InGaN层；生长AIN层具体为：保持温度不变，通入NH3以及TMAl，在第三InGaN层上生长厚度为1-3nm的AlN层；生长GaN垒层具体为：控制温度800-900℃，通入N2、NH3、TMGa，在AlN层上生长厚度为7-10nm的GaN垒层；周期性依次进行生长InGaN阱层、AIN层以及GaN垒层的步骤，周期数为7-15个。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湘能华磊光电股份有限公司 一种发光二极管外延生长方法
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