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申请/专利权人：浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日：2024-02-27
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118219088A
主分类号：B24B7/22
分类号：B24B7/22;H01L21/306;B24B27/00;B24B1/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明涉及硅加工设备技术领域，具体公开了可调节衬底表面厚度均匀性的硅外延反应设备及工艺，包括设置在外延反应机体内用于调整衬底表面厚度的调节机构，调节机构包括电动推杆，固定设于外延反应设备的顶部，且电动推杆的伸缩轴延伸至外延反应机体内，电动推杆的伸缩轴固定设有十字安装板，本发明通过调节机构的驱动组件和限位组件等便于同步带动多个第一打磨块和第二打磨块转动，从而便于对多个衬底进行表面厚度调整，提高调整效率，且便于对不同尺寸的衬底进行表面厚度调整，提高适用性，通过辅助机构和连接组件配合，便于调整第一打磨块和第二打磨块的高度，从而适用于不同厚度的衬底使用。
主权项：1.可调节衬底表面厚度均匀性的硅外延反应设备，包括外延反应机体，其特征在于，还包括设置在外延反应机体内用于调整衬底表面厚度的调节机构，调节机构包括；电动推杆，固定设于外延反应设备的顶部，且电动推杆的伸缩轴延伸至外延反应机体内，电动推杆的伸缩轴固定设有十字安装板，十字安装板的顶部设置有环形阵列排布的连接组件，连接组件的底部设置有第一打磨块和第二打磨块，且第二打磨块位于第一打磨块的内侧，第一打磨块和第二打磨块的侧壁设置有用于调整第一打磨块和第二打磨块高度位置的辅助机构，连接组件的顶部设置有用于驱动第一打磨块和第二打磨块转动的驱动组件，驱动组件的内侧设置有用于调节第一打磨块和第二打磨块转动的限位组件，辅助机构包括；第二辅助组件，设置于第二打磨块的侧壁，用于调整第二打磨块的高度；第一辅助组件，设置于第一打磨块的侧壁，用于调整第一打磨块的高度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司 可调节衬底表面厚度均匀性的硅外延反应设备及工艺
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