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申请/专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日：2024-03-26
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231311A
主分类号：H01L21/68
分类号：H01L21/68;H01L21/67;C30B25/16
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本公开实施例公开了一种校准硅片在外延基座上位置的方法、装置、介质及设备，所述方法包括：根据第一硅片的外延层的边缘厚度，确定所述第一硅片相对于外延基座的偏移位置；其中，所述第一硅片为在所述外延基座上进行外延生长而获得的外延硅片；基于所述偏移位置，对待外延生长的第二硅片在所述外延基座上的位置进行校准。
主权项：1.一种校准硅片在外延基座上的位置的方法，其特征在于，所述方法包括：根据第一硅片的外延层的边缘厚度，确定所述第一硅片相对于外延基座的偏移位置；其中，所述第一硅片为在所述外延基座上进行外延生长而获得的外延硅片；基于所述偏移位置，对待外延生长的第二硅片在所述外延基座上的位置进行校准。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 校准硅片在外延基座上位置的方法、装置、介质及设备
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