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申请/专利权人：华为技术有限公司
申请日：2022-01-14
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118235257A
主分类号：H01L31/107
分类号：H01L31/107;H01L27/144
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本公开涉及一种二极管、芯片、电子组件和电子设备。二极管包括外延层、第一区域、第二区域、第三区域和第四区域。第一区域具有第一掺杂类型并且位于外延层上。第二区域具有第一掺杂类型并且第二区域的掺杂浓度不同于第一区域的掺杂浓度。第三区域具有与第一掺杂类型不同的第二掺杂类型，第三区域与第二区域接触，并且第三区域与第一区域分离。第四区域，具有第二掺杂类型并且位于第三区域中。由于第二区域相比于第一区间距离第三区域更近，因此强电场聚集在第二区域中。此外，由于第二区域是电子迁移的路径，因此强电场与电子迁移的路径重合度较高。这可以使得单光子雪崩器件的PDE提升。
主权项：一种二极管，包括：外延层；第一区域，具有第一掺杂类型并且位于所述外延层上；第二区域，具有所述第一掺杂类型，并且所述第二区域的掺杂浓度不同于所述第一区域的掺杂浓度；第三区域，具有与所述第一掺杂类型不同的第二掺杂类型，所述第三区域与所述第二区域接触，并且所述第三区域与所述第一区域分离；以及第四区域，具有所述第二掺杂类型并且位于所述第三区域中，并且所述第四区域的掺杂浓度不同于所述第三区域的掺杂浓度。
全文数据：
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