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申请/专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日：2024-03-21
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118222999A
主分类号：C23C16/18
分类号：C23C16/18;C23C16/04
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明提供一种外延片及其制备方法，外延片包括生长基底、掩膜模板以及多个纳米柱；掩膜模板设置于生长基底的一侧；掩膜模板包括多个生长窗口、第一掩膜结构与第二掩膜结构，生长窗口贯穿掩膜模板至生长基底；多个纳米柱每个纳米柱设置于相应的生长窗口内，纳米柱包括与生长基底接触的第一子纳米柱；其中，第一掩膜结构围绕第一子纳米柱，第二掩膜结构设置于生长基底上且与第一掩膜结构接触，第一掩膜结构的顶部高于第二掩膜结构的顶部。通过采用本方案可以有效抑制纳米柱生长过程中的H钝化效应，促进纳米柱纵向生长，得到具有c面平整表面的纳米柱。
主权项：1.一种外延片，其特征在于，所述外延片包括：生长基底；掩膜模板，设置于所述生长基底的一侧；所述掩膜模板包括多个生长窗口、第一掩膜结构与第二掩膜结构，所述生长窗口贯穿所述掩膜模板至所述生长基底；多个纳米柱，每个所述纳米柱设置于相应的所述生长窗口内，所述纳米柱包括与所述生长基底接触的第一子纳米柱；其中，所述第一掩膜结构围绕所述第一子纳米柱，所述第二掩膜结构设置于所述生长基底上且与所述第一掩膜结构接触，所述第一掩膜结构的顶部高于所述第二掩膜结构的顶部。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏第三代半导体研究院有限公司 一种外延片及其制备方法
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