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申请/专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日：2024-03-21
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118218228A
主分类号：B06B1/06
分类号：B06B1/06;H10N30/20;H10N30/30;H10N30/01
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开了一种PMUT结构及其制备方法，该PMUT结构包括依次层叠设置的衬底、阻隔层、支撑层、下电极、压电层和上电极，所述衬底上设有贯通所述衬底的空腔，所述阻隔层、支撑层、下电极、压电层和上电极共同构成悬于所述空腔上方的振动膜；其中，所述振动膜上设有多个环绕于所述上电极外周的沟槽，所述沟槽自所述压电层贯通至所述支撑层，相邻的两个沟槽之间形成有悬梁部。本发明提供的PMUT结构及其制备方法，通过沟槽形成悬梁结构，释放了制造过程中的残余应力，相比于现有的支板结构，在有效降低刚度的同时提升应用可靠性；相比于现有的固定边界结构，提升了振动面积和振动位移。
主权项：1.一种PMUT结构，其特征在于，包括依次层叠设置的衬底、阻隔层、支撑层、下电极、压电层和上电极，所述衬底上设有贯通所述衬底的空腔，所述阻隔层、支撑层、下电极、压电层和上电极共同构成悬于所述空腔上方的振动膜；其中，所述振动膜上设有多个环绕于所述上电极外周的沟槽，所述沟槽自所述压电层贯通至所述支撑层，相邻的两个沟槽之间形成有悬梁部。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 PMUT结构及其制备方法
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