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申请/专利权人：广州乐仪投资有限公司
申请日：2022-11-03
公开（公告）日：2024-05-14
公开（公告）号：CN118041279A
主分类号：H03H9/15
分类号：H03H9/15;H03H9/02
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.05.14#公开
摘要：本发明涉及具有第一空隙部的PMUT结构及包含其的电子设备。该PMUT结构包括：基底，设置有至少一个空腔；与至少一个空腔对应的至少一个PMUT，PMUT包括第一电极层、压电层和第二电极层，压电层的一侧和另一侧分别设置第一电极层和第二电极层；和与至少一个空腔对应的至少一个质量块，设置在PMUT的上方并且与对应的空腔位置相对。该PMUT结构可以在不改变PMUT整体形状和尺寸、不影响PMUT声学性能的情况下，调整PMUT的频率，从而获得带宽大、声学性能好的PMUT阵列。
主权项：1.一种PMUT结构，包括：基底，设置有至少一个空腔；与所述至少一个空腔对应的至少一个PMUT，所述PMUT包括第一电极层、压电层和第二电极层，压电层的一侧和另一侧分别设置第一电极层和第二电极层；和与所述至少一个空腔对应的至少一个质量块，设置在所述PMUT的上方并且与对应的空腔位置相对。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广州乐仪投资有限公司 具有质量块的PMUT结构及包含其的电子设备
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皖公网安备 34010402703815号