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申请/专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日：2024-04-09
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118199555A
主分类号：H03H9/17
分类号：H03H9/17;H03H3/02
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明公开了一种具有曲面结构的PMUT器件及其制作方法。具有曲面结构的PMUT器件包括基片和压电薄膜，所述基片具有开口朝向所述压电薄膜的谐振腔，所述压电薄膜的选定部分沿选定方向覆盖在所述谐振腔的开口上方，其中，所述选定部分为曲面结构，所述选定方向与所述谐振腔的中轴线平行。本发明提供的一种曲面PMUT器件将压电薄膜的一部分横向形变转化为纵向变形，从而提高压电薄膜的振幅，谐振频率更高、振动位移更大，进而提升了PMUT器件的性能。
主权项：1.一种具有曲面结构的PMUT器件，其特征在于，包括：基片和压电薄膜，所述基片具有开口朝向所述压电薄膜的谐振腔，所述压电薄膜的选定部分沿选定方向覆盖在所述谐振腔的开口上方，其中，所述选定部分为曲面结构，所述选定方向与所述谐振腔的中轴线平行。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 具有曲面结构的PMUT器件及其制作方法
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