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申请/专利权人：三星电子株式会社
申请日：2019-09-20
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN110970433B
主分类号：H01L27/092
分类号：H01L27/092;H01L21/8238
优先权：["20181001 KR 10-2018-0117040"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2021.03.30#实质审查的生效;2020.04.07#公开
摘要：提供了半导体器件。半导体器件包括：衬底，其包括有源图案；栅电极，其在第一方向上延伸并且与在第二方向上延伸的有源图案相交；分离结构，其与有源图案相交并且在第一方向上延伸；第一栅极介电图案，其设置在栅电极的侧表面上；第二栅极介电图案，其设置在分离结构的侧表面上；和栅极封盖图案，其覆盖栅电极的顶表面。分离结构的顶表面的水平高度高于栅极封盖图案的顶表面的水平高度。
主权项：1.一种半导体器件，包括：衬底，其包括有源图案；栅电极，其在第一方向上延伸并且与在第二方向上延伸的所述有源图案相交；分离结构，其与所述有源图案相交并且在所述第一方向上延伸；第一栅极介电图案，其设置在所述栅电极的侧表面上；第二栅极介电图案，其设置在所述分离结构的侧表面上；和栅极封盖图案，其覆盖所述栅电极的顶表面，其中，所述分离结构的顶表面的水平高度高于所述栅极封盖图案的顶表面的水平高度，其中，所述有源图案的上部包括第一凹陷，并且所述分离结构填充所述第一凹陷，所述半导体器件还包括：器件隔离层，其设置在所述衬底上以限定所述有源图案，其中，所述器件隔离层的上部包括第二凹陷，并且所述分离结构填充所述第二凹陷。
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