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申请/专利权人：宜普电源转换公司
申请日：2022-10-07
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118235327A
主分类号：H03K17/081
分类号：H03K17/081
优先权：["20211008 US 63/253,641"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：一种具有单个栅极的双向GaNFET，其通过将单栅极双向GaNFET与具有公共源极的两个背靠背的GaNFET形成的双向器件并联集成而形成。单栅极双向GaNFET占据集成电路管芯的大部分，使得集成器件具有低沟道电阻，同时还获得背靠背的双向GaNFET器件的优点。
主权项：1.一种具有单个栅极的双向GaNFET开关，包括：第一子开关和第二子开关，所述第一子开关和第二子开关并联连接，其中：所述第一子开关包括单栅极GaN场效应晶体管FET，所述单栅极GaNFET具有第一功率电极和第二功率电极以及居中地位于所述第一功率电极与所述第二功率电极之间的栅极；所述第二子开关包括以背靠背配置连接并且具有公共源极和公共栅极的第一GaNFET和第二GaNFET；以及所述第一子开关的所述单栅极GaNFET的所述栅极电连接到所述第二子开关的背靠背的所述第一GaNFET和所述第二GaNFET的所述公共栅极以形成所述双向GaNFET开关的单个栅极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 宜普电源转换公司 具有单个栅极的双向GaN FET
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