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申请/专利权人：派赛公司
申请日：2022-09-27
公开（公告）日：2024-05-14
公开（公告）号：CN118044119A
主分类号：H03K17/0412
分类号：H03K17/0412;H03K17/687
优先权：["20211001 US 17/492,180"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.05.14#公开
摘要：FET开关堆叠具有：FET开关的堆叠布置、具有阶梯电阻器的栅极电阻器网络和公共栅极电阻器、以及栅极电阻器旁路布置。旁路布置具有连接在栅极电阻器两端的第一组旁路开关和连接在阶梯电阻器两端的第二组旁路开关。旁路在FET开关的堆叠布置的转变状态的至少部分期间发生。
主权项：1.一种FET开关堆叠，包括：FET开关的堆叠布置，所述FET开关的堆叠布置在一端处连接至RF端子，所述RF端子被配置成耦接至RF信号，所述FET开关堆叠被配置成具有其中所述FET开关导通的导通稳定状态、其中所述FET开关关断的关断稳定状态、以及其中所述FET开关正从导通转变至关断或正从关断转变至导通的转变状态；栅极电阻器网络，所述栅极电阻器网络包括连接至所述FET开关的栅极端子的一个或更多个阶梯电阻器；连接至所述栅极电阻器网络的一个或更多个公共栅极电阻器，所述栅极电阻器网络和所述一个或更多个公共栅极电阻器被配置成将栅极控制电压馈送至所述FET开关的栅极端子；以及栅极电阻器旁路布置，所述栅极电阻器旁路布置包括连接在对应的公共栅极电阻器两端的第一组旁路开关和连接在对应的阶梯电阻器两端的第二组旁路开关。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 派赛公司 用于RF FET开关堆叠的栅极电阻阶梯旁路
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