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申请/专利权人：高通股份有限公司
申请日：2022-11-01
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118235328A
主分类号：H03K19/003
分类号：H03K19/003;H03K19/0185
优先权：["20211115 US 17/526,805"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本公开的一方面涉及一种包括输出驱动器的装置，该输出驱动器包括：第一p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管PMOSFET；第二PMOSFET，该第二PMOSFET与该第一PMOSFET串联耦合在上电压轨和输出端之间；第一n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管NMOSFET；和第二NMOSFET，该第二NMOSFET与该第一NMOSFET串联耦合在该输出端和下电压轨之间；第一预驱动器，该第一预驱动器耦合到该第一PMOSFET和该第二PMOSFET以及该第一NMOSFET和该第二NMOSFET的栅极；和第二预驱动器，该第二预驱动器耦合到该第一PMOSFET和该第二PMOSFET以及该第一NMOSFET和该第二NMOSFET的该栅极。
主权项：1.一种装置，所述装置包括：输出驱动器，所述输出驱动器包括：第一p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管PMOSFET；第二PMOSFET，所述第二PMOSFET与所述第一PMOSFET串联耦合在第一电压轨和输出端之间；第一n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管NMOSFET；和第二NMOSFET，所述第二NMOSFET与所述第一NMOSFET串联耦合在所述输出端和第二电压轨之间；第一预驱动器，所述第一预驱动器耦合到所述第一PMOSFET和所述第二PMOSFET以及所述第一NMOSFET和所述第二NMOSFET的栅极；和第二预驱动器，所述第二预驱动器耦合到所述第一PMOSFET和所述第二PMOSFET以及所述第一NMOSFET和所述第二NMOSFET的所述栅极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 高通股份有限公司 具有上拉和下拉晶体管的动态全栅极升压的输入/输出（I/O）电路
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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