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申请/专利权人：安徽碳索芯材科技有限公司
申请日：2024-03-28
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231228A
主分类号：H01L21/205
分类号：H01L21/205;H01L21/02;H01L23/373
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开了一种大尺寸高热导率GaN外延材料的制备方法，涉及半导体器件技术领域，该方法包括以下步骤：S1，在基体上制备金刚石外延层，基体为硅基体或者金属基体；S2，对步骤S1中的金刚石外延层表面进行微纳加工；S3，在步骤S2中的微纳加工后的金刚石外延层表面沉积缓冲层；S4，在步骤S3中的缓冲层表面外延GaN外延层；S5，去除步骤S1中的基体。本发明利用硅基或金属基作为外延金刚石的基体，突破了衬底的尺寸限制，以及起到支撑作用；引入微纳加工和缓冲层，提高了金刚石与GaN界面耦合面积和结合强度。本发明的制备方法还可根据不同应用领域需求，调节金刚石外延层厚度，实现大尺寸高热导率GaN外延材料的批量化生产。
主权项：1.一种大尺寸高热导率GaN外延材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，在基体（1）上制备金刚石外延层（2），所述基体（1）为硅基体或者金属基体；S2，对步骤S1中的所述金刚石外延层（2）表面进行微纳加工；S3，在步骤S2中的所述微纳加工后的金刚石外延层（2）表面沉积缓冲层（4）；S4，在步骤S3中的所述缓冲层（4）表面外延GaN外延层（5）；S5，去除步骤S1中的所述基体（1）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽碳索芯材科技有限公司 一种大尺寸高热导率GaN外延材料的制备方法
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