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申请/专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日：2024-03-26
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118223110A
主分类号：C30B15/20
分类号：C30B15/20;C30B29/06
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明提供了一种单晶硅棒的电阻率调节方法，涉及半导体材料制备和材料掺杂技术领域，该方法包括以下步骤：步骤1：配制原料、化料、化料完毕后进行单晶硅拉制；步骤2：在放肩开始后及在等径开始前结束拉晶，并将拉制的肩状硅体取出；步骤3：针对肩状硅体进行电阻率测试；步骤4：判断肩状硅体的实测电阻率是否在目标打靶电阻率范围内；若是则继续进行单晶硅拉制；若超出目标打靶电阻率，则根据预先确定的补掺标准向硅熔体中补掺掺杂剂；并利用补掺掺杂剂后的硅熔体继续进行单晶硅拉制。本方案能够实现晶棒电阻率的准确控制，从而提高晶棒的合格率，同时节省制备目标电阻率晶棒的时间和经济成本。
主权项：1.一种单晶硅棒的电阻率调节方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：配制原料并进行化料，以及在化料完毕后进行单晶硅拉制；步骤2：在放肩开始后，以及在等径开始前结束拉晶，并将此时所拉制的肩状硅体取出；步骤3：针对所述肩状硅体进行电阻率测试；步骤4：判断所述肩状硅体的实测电阻率是否在预设的目标打靶电阻率范围内；若是，则利用剩余的硅熔体继续进行单晶硅拉制；若实测电阻率超出所述目标打靶电阻率范围，则根据预先确定的补掺标准向所述硅熔体中补掺掺杂剂；并利用补掺掺杂剂后的硅熔体继续进行单晶硅拉制；其中，所述补掺标准为实测电阻率与目标打靶电阻率之间的差值和掺杂剂补掺量之间的对应关系。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 单晶硅棒的电阻率调节方法
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