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申请/专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日：2022-09-29
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118234898A
主分类号：C30B15/04
分类号：C30B15/04;C30B15/20;C30B29/06;C30B33/02
优先权：["20211011 US 63/254,337"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：公开用于生产单晶硅锭的方法。所述方法可涉及在下游退火过程期间，例如在例如中介层装置的制造的后续装置制造期间，对热施体的形成及目标电阻率建模。模型可输出预退火晶片电阻率目标范围。可对单晶硅锭生产过程建模以确定补偿掺杂计划以跨越所述锭的主体的较长长度实现所述预退火晶片电阻率目标范围。
主权项：1.一种用于从保持在坩埚内的硅熔体生产单晶硅锭的方法，所述方法包括：确定从所述锭切下的晶片的后退火目标电阻率；对在从所述锭切下的晶片的后续退火期间产生的热施体建模以确定预退火晶片电阻率目标范围；对锭生长期间所述熔体的掺杂物剖面建模以确定反掺杂计划，其中所述锭的至少一部分在所述预退火晶片电阻率目标范围内；将多晶硅添加到所述坩埚；加热所述多晶硅以使硅熔体形成于所述坩埚中；将第一掺杂物添加到所述坩埚，所述第一掺杂物是p型或n型；使所述熔体与籽晶接触；从所述熔体抽出所述籽晶以形成单晶硅锭；及将第二掺杂物添加到所述硅熔体同时基于所述反掺杂计划形成所述单晶硅锭，所述第二掺杂物是p型或n型且是与所述第一掺杂物的类型不同的类型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 环球晶圆股份有限公司 对用于单晶硅锭生产的热施体形成及目标电阻率建模
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