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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：2024-03-28
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231401A
主分类号：H01L27/02
分类号：H01L27/02;H01L27/12;H01L21/77
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明提供一种射频开关结构及其形成方法，包括：从射频输入端到接地端之间依次串联的第一级到第N级共N级晶体管堆栈；晶体管堆栈包括自下而上的基底、介质层和源漏金属层；基底上形成有栅极结构，栅极结构两侧的基底中形成有漏区和源区；源金属层与源区对应连接，漏金属层与漏区对应连接；在基底上，每级晶体管堆栈的周侧区域均设置有连接到地信号端的调整金属块，从第一级到第N级的各级晶体管堆栈开关与地信号端的寄生电容逐渐增大。晶体管堆栈与地信号端的寄生电容越小，对应晶体管堆栈分压越小。减小靠近射频输入端的晶体管堆栈的分压，使得整体电压分布均匀，射频开关结构总的射频击穿电压特性得到了改善。
主权项：1.一种射频开关结构，其特征在于，包括：从射频输入端到接地端之间依次串联的第一级到第N级共N级晶体管堆栈，N为大于等于2的自然数；所述晶体管堆栈包括自下而上的基底、介质层和源漏金属层；所述基底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的所述基底中形成有漏区和源区；所述源漏金属层包括源金属层和漏金属层，所述源金属层与所述源区对应连接，所述漏金属层与所述漏区对应连接；在所述基底上，每级所述晶体管堆栈的周侧区域均设置有连接到地信号端的调整金属块，从所述第一级到第N级的各级所述晶体管堆栈与所述地信号端的寄生电容逐渐增大。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 射频开关结构及其形成方法
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