申请/专利权人：锐磐微电子科技(上海)有限公司

申请日：2023-12-04

公开（公告）日：2024-06-21

公开（公告）号：CN117749116B

主分类号：H03F3/213

分类号：H03F3/213;H03F3/195;H03F1/30

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.21#授权;2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本申请公开了一种射频前端模组，涉及射频技术领域。包括：基板，以及设置在基板上的包括功率放大电路以及电容的功率放大芯片、电感；功率放大电路的信号输入端用于接收射频输入信号，其信号输出端连接至基板上的信号传输端，其接地端连接至第一接地端；电容的第一端连接至第二接地端，电容的第二端与电感的第一端连接，电感的第二端连接至基板上的信号传输端。将电容设置于功率放大芯片上，并且设置连接至功率放大电路的第一接地端和与电容连接的第二接地端为功率放大芯片上的两个不同的接地端，避免了电容与功率放大电路之间因共地发生信号泄露，从而兼顾了功率放大芯片的空间利用率以及使用性能，提升了射频前端模组的整体性能。

主权项：1.一种射频前端模组，其特征在于，包括：基板，以及设置在所述基板上的功率放大芯片、第一电感以及第二电感，所述功率放大芯片包括第一功率放大晶体管、第二功率放大晶体管、第一电容以及第二电容；所述第一功率放大晶体管的第一端用于接收第一射频输入信号，所述第一功率放大晶体管的第二端连接至第一信号传输端，所述第一功率放大晶体管的第三端连接至第三接地端；所述第二功率放大晶体管的第一端用于接收第二射频输入信号，所述第二功率放大晶体管的第二端连接至第二信号传输端，所述第二功率放大晶体管的第三端连接至第四接地端；所述第一电容的第一端连接至第五接地端，所述第一电容的第二端与所述第一电感的第一端连接，所述第一电感的第二端连接至所述第一信号传输端，所述第三接地端与所述第五接地端为两个不同的接地端；所述第二电容的第一端连接至第六接地端，所述第二电容的第二端与所述第二电感的第一端连接，所述第二电感的第二端连接至所述第二信号传输端，所述第四接地端与所述第六接地端为两个不同的接地端；其中，所述功率放大芯片通过引线键合工艺或倒扣工艺设置在所述基板上；当所述功率放大芯片通过所述引线键合工艺设置在所述基板上，所述第一电感包括第一引线，所述第二电感包括第二引线；所述第一功率放大晶体管的第二端通过第三引线键合连接至所述第一信号传输端，所述第一功率放大晶体管的第三端通过第一金属通孔连接至所述第三接地端；所述第二功率放大晶体管的第二端通过第四引线键合连接至所述第二信号传输端，所述第二功率放大晶体管的第三端通过第二金属通孔连接至所述第四接地端；所述第一电容的第一端通过第三金属通孔连接至所述第五接地端，所述第一电容的第二端通过第一焊盘与所述第一引线的第一端连接，所述第一引线的第二端连接至所述第一信号传输端；所述第二电容的第一端通过第四金属通孔连接至所述第六接地端，所述第二电容的第二端通过第二焊盘与所述第二引线的第一端连接，所述第二引线的第二端连接至所述第二信号传输端；当所述功率放大芯片通过所述倒扣工艺设置在所述基板上，所述第一电感包括第一走线，所述第二电感包括第二走线；所述第一功率放大晶体管的第二端通过第一铜柱连接至所述第一信号传输端，所述第一功率放大晶体管的第三端通过第二铜柱连接至所述第三接地端；所述第二功率放大晶体管的第二端通过第三铜柱连接至所述第二信号传输端，所述第二功率放大晶体管的第三端通过第四铜柱连接至所述第四接地端；所述第一电容的第一端通过第五铜柱连接至所述第五接地端，所述第一电容的第二端通过第六铜柱与所述第一走线的第一端连接，所述第一走线的第二端连接至所述第一信号传输端；所述第二电容的第一端通过第七铜柱连接至所述第六接地端，所述第二电容的第二端通过第八铜柱与所述第二走线的第一端连接，所述第二走线的第二端连接至所述第二信号传输端。

全文数据：

权利要求：

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