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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2024-02-27
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231406A
主分类号：H01L27/092
分类号：H01L27/092;H01L21/82;H01L29/06;H01L29/423
优先权：["20230227 US 63/487,031","20230908 US 18/463,596"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：一种半导体器件，包括在第一栅极堆叠件的背侧上的背侧栅极蚀刻停止层ESL，其中多个第一纳米结构与背侧栅极ESL重叠。背侧栅极ESL可以包括高k介电材料。半导体器件还包括在第一源极漏极区之间延伸的多个第一纳米结构和在多个第一纳米结构上方并在第二源极漏极区之间伸展的多个第二纳米结构。第一栅极堆叠件设置在多个第一纳米结构周围，并且在第一栅极堆叠件上方的第二栅极堆叠件设置于多个第二纳米结构周围。背侧栅极接触件延伸穿过背侧栅极ESL以电耦合到第一栅极堆叠件。本申请的实施例还公开了一种形成半导体器件的方法。
主权项：1.一种半导体器件，包括：多个第一纳米结构，所述多个第一纳米结构在第一源极漏极区之间延伸；多个第二纳米结构，位于所述多个第一纳米结构上方，所述多个第二纳米结构在第二源极漏极区之间延伸；第一栅极堆叠件，围绕所述多个第一纳米结构；第二栅极堆叠件，位于所述第一栅极堆叠件上方并且设置在所述多个第二纳米结构周围；背侧栅极蚀刻停止层，位于所述第一栅极堆叠件的背侧上，其中，所述多个第一纳米结构与所述背侧栅极蚀刻停止层重叠；以及背侧栅极接触件，电耦合到所述第一栅极堆叠件，其中，所述背侧栅极接触件延伸穿过所述背侧栅极蚀刻停止层到达所述第一栅极堆叠件的所述背侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件及其形成方法
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