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【发明授权】半导体加工设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202110232610.4 

申请/专利权人:北京北方华创微电子装备有限公司

申请日:2021-03-02

公开(公告)日:2024-06-21

公开(公告)号:CN113053785B

主分类号:H01L21/67

分类号:H01L21/67

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.21#授权;2021.07.16#实质审查的生效;2021.06.29#公开

摘要:本申请公开一种半导体加工设备,包括反应腔室以及门组件,门组件设置于反应腔室的设有排气口的一端,反应腔室上设有用于阻碍工艺气体泄露的密封腔,密封腔通过引入惰性气体,以使密封腔内的气体压力大于反应腔室内的气体压力;排气口用于排出反应腔室中通入的工艺气体以及密封腔内的惰性气体。本申请不仅能够阻止工艺气体例如HCl气体从反应腔室内逸出而腐蚀设备,还能够避免外部气体或金属颗粒等进入反应腔室内,且密封性能不受高温影响而下降。

主权项:1.一种半导体加工设备,包括由工艺管围设形成的反应腔室,其特征在于,所述半导体加工设备还包括门组件和进气组件;所述门组件设置于所述反应腔室的设有排气口的一端,所述门组件包括支撑盘、基座和固定环,所述基座设于所述支撑盘上、且与所述工艺管的下端接合并覆盖所述反应腔室下端的开口,所述固定环设于所述基座的外围并将所述基座固定于所述支撑盘,所述固定环和所述基座之间存在第一缝隙,沿所述固定环的环形走向,所述固定环均匀分布有若干沿第一方向贯穿所述固定环的进气通道,且所述进气通道与所述第一缝隙连通;所述反应腔室上设有用于阻碍工艺气体泄露的密封腔,所述密封腔包括与所述第一缝隙连通的第一密封腔和第二密封腔,所述第一密封腔设置于所述基座与所述反应腔室及所述工艺管接合的一侧,所述第二密封腔设置于所述基座与所述支撑盘接合的一侧;所述基座与所述工艺管接合的一侧开设有第一凹槽,所述工艺管覆盖第一凹槽并形成第一密封腔,所述基座与所述支撑盘接合的一侧开设有第二凹槽,所述支撑盘覆盖所述第二凹槽并形成所述第二密封腔;沿第二方向,所述进气通道位于所述第一密封腔和第二密封腔之间,所述第一方向与所述第二方向垂直;所述密封腔通过所述进气组件引入惰性气体,以使所述密封腔内的气体压力大于所述反应腔室内的气体压力;所述排气口用于排出所述反应腔室中通入的所述工艺气体以及所述密封腔内的所述惰性气体;所述进气组件上设有气动阀、压力表和流量控制器,所述流量控制器用于调整进气流量,至少包括增大所述进气通道通入的气体流量。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体加工设备

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