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申请/专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日：2022-06-16
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN114824012B
主分类号：H01L33/14
分类号：H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2022.08.16#实质审查的生效;2022.07.29#公开
摘要：本发明涉及半导体领域，公开了一种GaN基LED外延结构及其制备方法和发光二极管，该外延结构包括衬底（101），以及在衬底上依次生长的nGaN层（104）、量子阱层（106）以及pGaN层（109）；在量子阱层与pGaN层之间还生长有低温pGaN层（107），低温pGaN层由碳杂质含量较高的三甲基镓子层（1071）和碳杂质含量较低的三乙基镓子层（1072）交替生长而成。与现有技术相比，本发明采用三甲基镓与三乙基镓交替生长的方式形成低温PGaN层，降低低温PGaN层中碳杂质含量，降低了低温PGaN的电阻率，进而降低了发光二极管的正向电压，提高了发光二极管的发光效率。
主权项：1.一种GaN基LED外延结构，包括衬底（101），以及在所述衬底（101）上依次生长的nGaN层（104）、量子阱层（106）以及pGaN层（109）；其特征在于，在所述量子阱层（106）与pGaN层（109）之间还生长有低温pGaN层（107），所述低温pGaN层（107）由碳杂质含量较高的三甲基镓子层（1071）和碳杂质含量较低的三乙基镓子层（1072）交替生长而成；所述三甲基镓子层（1071）中的碳杂质含量比三乙基镓子层（1072）中的碳杂质含量至少高一个数量级。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 GaN基LED外延结构及其制备方法和发光二极管
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