申请/专利权人：友达光电股份有限公司

申请日：2022-01-07

公开（公告）日：2024-06-21

公开（公告）号：CN114361199B

主分类号：H01L27/15

分类号：H01L27/15;H01L33/50;G09F9/33

优先权：["20210915 TW 110134304"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.21#授权;2022.05.03#实质审查的生效;2022.04.15#公开

摘要：一种像素结构，包括依序堆叠的第一半导体层、第一有源层、第二半导体层、第二有源层、第三半导体层及电极层。电极层的第一部通过第三半导体层的第一部的第一开口、第二有源层的第一部的第一开口、第二半导体层的第一部的第一开口及第一有源层的第一部的第一开口电性连接至第一半导体层的第一部。电极层的第二部通过第三半导体的第二部的第二开口及第二有源层的第二部的第二开口电性连接至第二半导体层的第二部。电极层的第三部电性连接至第三半导体层的第二部。

主权项：1.一种像素结构，包括：一第一半导体层，具有一第一部及一第二部；一第一有源层，设置于该第一半导体层上，且具有一第一部及一第二部，其中该第一有源层的该第一部及该第二部分别设置于该第一半导体层的该第一部及该第二部上，该第一有源层的该第一部具有一第一开口，且该第一有源层的该第一部的该第一开口重叠于该第一半导体层的该第一部；一第二半导体层，设置于该第一有源层上，且具有一第一部及一第二部，其中该第二半导体层的该第一部及该第二部分别设置于该第一有源层的该第一部及该第二部上，该第二半导体层的该第一部具有一第一开口，且该第二半导体层的该第一部的该第一开口重叠于该第一有源层的该第一部的该第一开口；一第二有源层，设置于该第二半导体层上，且具有一第一部及一第二部，其中该第二有源层的该第一部及该第二部分别设置于该第二半导体层的该第一部及该第二部上，该第二有源层的该第一部及该第二部分别具有一第一开口及一第二开口，该第二有源层的该第一部的该第一开口重叠于该第二半导体层的该第一部的该第一开口，且该第二有源层的该第二部的该第二开口重叠于该第二半导体层的该第二部；一第三半导体层，设置于该第二有源层上，且具有一第一部及一第二部，其中该第三半导体层的该第一部及该第二部分别设置于该第二有源层的该第一部及该第二部上，该第三半导体层的该第一部及该第二部分别具有一第一开口及一第二开口，该第三半导体层的该第一部的该第一开口重叠于该第二有源层的该第一部的该第一开口，且该第三半导体层的该第二部的该第二开口重叠于该第二有源层的该第二部的该第二开口；一电极层，设置于该第三半导体层上，且具有一第一部、一第二部及第三部，其中该电极层的该第一部通过该第三半导体层的该第一部的该第一开口、该第二有源层的该第一部的该第一开口、该第二半导体层的该第一部的该第一开口及该第一有源层的该第一部的该第一开口电性连接至该第一半导体层的该第一部，该电极层的该第二部通过该第三半导体层的该第二部的该第二开口及该第二有源层的该第二部的该第二开口电性连接至该第二半导体层的该第二部，且该电极层的该第三部电性连接至该第三半导体层的该第二部；以及一驱动背板，其中该电极层的该第一部、该第二部及该第三部电性连接至该驱动背板；其中，该电极层还具有一第四部，该电极层的该第四部通过该第三半导体层的该第一部的该第一开口及该第二有源层的该第一部的该第一开口电性连接至该第二半导体层的该第一部。

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