申请/专利权人：南京信息工程大学

申请日：2024-04-24

公开（公告）日：2024-05-28

公开（公告）号：CN118090867A

主分类号：G01N27/414

分类号：G01N27/414

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.06.14#实质审查的生效;2024.05.28#公开

摘要：本发明公开了一种FET氢气传感器及其制备方法，涉及氢气检测设备技术领域，旨在解决现有技术中氢气传感器存在响应时间长、低灵敏度、高浓度检测分辨率低、成本高、选择性不足等问题，所述氢气传感器从下到上依次包括衬底、沟道层、栅介质层、FET电极、隔离层、缓冲层、氢气感应层和叉指电极，还提供氢气传感器的制备方法。本发明可提供多种氢气检测方案，从而有效实现低浓度氢气的高分辨率检测，具有广阔的应用场景。

主权项：1.一种FET氢气传感器，其特征在于，从下到上依次包括衬底、沟道层、栅介质层、FET电极、隔离层、缓冲层、氢气感应层和叉指电极；所述沟道层包括P型外延层和三个N掺杂区，所述P型外延层设于衬底上，三个所述N掺杂区设于P型外延层表面，三个所述N掺杂区从左到右依次为N掺杂A区、N掺杂B区和N掺杂C区，所述N掺杂A区与N掺杂B区之间设有第一沟道，所述N掺杂B区和N掺杂C区之间设有第二沟道；所述栅介质层设于沟道层上方且覆盖沟道层；所述FET电极包括从左到右依次设置的源电极、第一栅电极、第二栅电极和漏电极，所述源电极、第一栅电极、第二栅电极和漏电极均从下到上依次由主体部分和外延部分组成；所述隔离层设置于所述栅介质层上方并包覆FET电极的主体部分与栅介质层；所述缓冲层设置于所述隔离层上方且覆盖隔离层；所述氢气感应层设置于隔离层上方，所述氢气感应层包括对称分布的氢气敏感区和半导体电阻区；所述叉指电极分布于氢气感应层表面，包括第一叉指电极、第二叉指电极、第三叉指电极和第四叉指电极，所述第一叉指电极和第四叉指电极设于氢气敏感区上方，所述第二叉指电极和第三叉指电极设于半导体电阻区上方，所述第一叉指电极与第二叉指电极串联，且所述第一叉指电极和第二叉指电极的连接点为第一分压点，所述第一分压点覆盖第一栅电极的外延部分延伸出氢气感应层表面的部分，所述第三叉指电极和第四叉指电极串联，且所述第三叉指电极和第四叉指电极的连接点为第二分压点，所述第二分压点覆盖第二栅电极的外延部分延伸出氢气感应层表面的部分，通过串联相应叉指电极能够将半导体电阻区与氢气敏感区相连，形成由氢气敏感电阻与半导体电阻串联的工作点控制电路。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京信息工程大学 一种FET氢气传感器及其制备方法

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