申请/专利权人:天津大学
申请日:2022-08-05
公开(公告)日:2024-02-13
公开(公告)号:CN117548315A
主分类号:B06B1/06
分类号:B06B1/06;B06B3/00
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.03.01#实质审查的生效;2024.02.13#公开
摘要:本发明涉及一种晶体管单元与具有空腔的PMUT单元集成的PMUT结构及其制造方法,该PMUT结构包括:晶体管单元,包括晶体管和晶体管基底;PMUT单元,包括PMUT,PMUT包括第一电极层、第二电极层与压电层,其中:PMUT单元与晶体管单元的一侧的表面接合,晶体管单元的一侧的表面为晶体管单元的接合面,用于PMUT的空腔处于所述接合面的设置了PMUT单元的一侧。本发明还涉及一种包括上述PMUT结构的PMUT结构阵列,以及一种包括了上述的PMUT结构或PMUT结构阵列的电子设备。
主权项:1.一种PMUT结构,包括:晶体管单元,包括晶体管和晶体管基底;PMUT单元,包括PMUT,PMUT包括第一电极层、第二电极层与压电层,其中:PMUT单元与晶体管单元的一侧的表面接合,晶体管单元的一侧的表面为晶体管单元的接合面,用于PMUT的空腔处于所述接合面的设置了PMUT单元的一侧。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 天津大学 晶体管单元与具有空腔的PMUT单元集成的PMUT结构
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