申请/专利权人:天津大学
申请日:2022-08-05
公开(公告)日:2024-02-13
公开(公告)号:CN117548316A
主分类号:B06B1/06
分类号:B06B1/06
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.03.01#实质审查的生效;2024.02.13#公开
摘要:本发明涉及一种PMUT结构及其制造方法,该PMUT结构包括:晶体管单元,包括晶体管;和PMUT单元,包括PMUT及支撑层,PMUT包括第一电极层、第二电极层与压电层,其中:所述PMUT结构还包括用于PMUT的空腔;支撑层为单晶薄膜层,支撑层的一侧面对晶体管单元的表面;且PMUT单元的面对晶体管单元的一侧与晶体管单元的一侧的表面接合且限定所述空腔的一侧的至少一部分。本发明还涉及一种包括上述PMUT结构的PMUT结构阵列,以及一种包括了上述的PMUT结构或PMUT结构阵列的电子设备。
主权项:1.一种PMUT结构,包括:晶体管单元,包括晶体管;和PMUT单元,包括PMUT及支撑层,PMUT包括第一电极层、第二电极层与压电层,其中:所述PMUT结构还包括用于PMUT的空腔;支撑层为单晶薄膜层,支撑层的一侧面对晶体管单元的表面;且PMUT单元的面对晶体管单元的一侧与晶体管单元的一侧的表面接合且限定所述空腔的一侧的至少一部分。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 天津大学 支撑层为单晶薄膜层的PMUT结构
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