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申请/专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日：2024-02-29
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231240A
主分类号：H01L21/304
分类号：H01L21/304;H01L21/67;H01L21/463;H01L23/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本申请提供一种复合薄膜加工方法及复合薄膜，所述方法包括：获取待加工复合薄膜的翘曲度；判断所述翘曲度是否处于翘曲度设定范围内，若是，则获取所述待加工复合薄膜的待去除量；若所述待去除量小于等于2微米，则采用电子束刻蚀工艺的加工方法；若所述待去除量小于等于4微米，则采用化学机械抛光工艺的加工方法，以解决目前的复合薄膜衬底层孔隙率偏高以及结合强度不足导致的高温应力耐受性偏低的问题。
主权项：1.一种复合薄膜加工方法，其特征在于，包括：获取待加工复合薄膜的翘曲度；判断所述翘曲度是否处于翘曲度设定范围内，若是，则获取所述待加工复合薄膜的待去除量；若所述待去除量小于等于2微米，则采用电子束刻蚀工艺的加工方法；若所述待去除量小于等于4微米，则采用化学机械抛光工艺的加工方法。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 济南晶正电子科技有限公司 一种复合薄膜加工方法及复合薄膜
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