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申请/专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日：2022-10-31
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118235258A
主分类号：H01L33/00
分类号：H01L33/00;H01L33/10;H01L33/20
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开了一种发光二极管，包括：半导体叠层，包括第一半导体层、第二半导体层以及位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层；第一绝缘层，形成于所述半导体叠层之上；反射电极层，包括部分形成于所述第一绝缘层之上，所述反射电极层的边缘与所述半导体叠层之间的最小距离为第四距离，所述第四距离为1～5μm；第四绝缘层，形成于所述反射电极层之上，所述第四绝缘层为氧化铝。
主权项：一种发光二极管，包括：半导体叠层，由下至上包括第一半导体层、第二半导体层以及位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层；第一绝缘层，形成于所述半导体叠层之上，所述第一绝缘层具有远离所述半导体叠层的上表面和与所述上表面相对的下表面，所述上表面具有第一表面、第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面的第三表面，所述第一表面与所述下表面之间的厚度小于所述第二表面与所述下表面之间的厚度；反射电极层，形成于所述第一绝缘层之上，所述反射电极层的边缘形成于所述第一绝缘层的第三表面上，所述反射电极层的边缘与所述第二半导体层边缘之间的水平距离为第四距离，所述第四距离为1~5μm；第四绝缘层，形成于所述反射电极层之上，且延伸至所述第一绝缘层第二表面上，所述第四绝缘层为氧化铝。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门三安光电有限公司 发光二极管
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