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申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日：2022-05-06
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN114908326B
主分类号：C23C14/35
分类号：C23C14/35;C23C14/18
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2022.09.02#实质审查的生效;2022.08.16#公开
摘要：本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及形成叠层薄膜结构的方法。该形成叠层薄膜结构的方法包括：第一溅射步骤，将待沉积薄膜的晶圆传输至第一工艺腔室内的第一基座上，对介质靶材施加第一溅射功率，以在晶圆的表面沉积形成介质薄膜；第二溅射步骤，将溅射有介质薄膜的晶圆由第一工艺腔室内传输至第二工艺腔室内的第二基座上，对金属靶材施加第二溅射功率，以在介质薄膜上形成金属薄膜；重复执行第一溅射步骤及第二溅射步骤，以在晶圆的表面沉积交替叠层的介质薄膜和金属薄膜，形成叠层薄膜结构。本申请实施例实现了大幅提升产能的同时，还能确保产品的良率，并且还能避免叠层薄膜结构内部产生较大的热应力，从而进一步提高产品的良率。
主权项：1.一种形成叠层薄膜结构的方法，用于在晶圆的表面形成叠层薄膜结构，其特征在于，所述叠层薄膜结构在3DNAND闪存中作为控制栅，所述方法包括：第一溅射步骤，将待沉积薄膜的所述晶圆传输至第一工艺腔室内的第一基座上；向所述第一工艺腔室内通入第一惰性气体和第一工艺气体的混合气体，对介质靶材施加第一溅射功率，使所述第一惰性气体形成等离子体，该等离子体使所述第一工艺气体产生自由基，该自由基与所述介质靶材发生反应，该等离子体轰击所述介质靶材，以在所述晶圆的表面沉积形成介质薄膜，所述介质靶材的材料为硅，所述第一溅射功率为脉冲直流功率，所述脉冲直流功率为1kW～5kW，所述介质薄膜为二氧化硅薄膜；第二溅射步骤，将溅射有所述介质薄膜的所述晶圆由所述第一工艺腔室内传输至第二工艺腔室内的第二基座上；向所述第二工艺腔室内通入第二惰性气体，对金属靶材施加第二溅射功率，使所述第二惰性气体形成等离子体，该等离子体轰击所述金属靶材，以在所述介质薄膜上形成金属薄膜，所述金属靶材的材料为钨，所述金属薄膜为钨薄膜；重复执行所述第一溅射步骤及所述第二溅射步骤，以在所述晶圆的表面沉积交替叠层的所述介质薄膜和所述金属薄膜，形成所述叠层薄膜结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备及形成叠层薄膜结构的方法
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