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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日：2024-03-22
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231539A
主分类号：H01L33/06
分类号：H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底，及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层和P型半导体层；所述多量子阱发光层包括周期性交替层叠的复合量子阱层和量子垒层；所述复合量子阱层包括依次层叠的第一量子阱层、第二量子阱层和第三量子阱层；所述第一量子阱层为第一AlInGaN层，所述第二量子阱层为InGaN层，所述第三量子阱层为第二AlInGaN层；所述第一量子阱层、第三量子阱层的禁带宽度均大于量子垒层的禁带宽度。实施本发明，能够提高发光二极管的发光效率。
主权项：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层和P型半导体层；所述多量子阱发光层包括周期性交替层叠的复合量子阱层和量子垒层；所述复合量子阱层包括依次层叠的第一量子阱层、第二量子阱层和第三量子阱层；所述第一量子阱层为第一AlInGaN层，所述第二量子阱层为InGaN层，所述第三量子阱层为第二AlInGaN层；所述第一量子阱层、第三量子阱层的禁带宽度均大于量子垒层的禁带宽度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
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