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申请/专利权人：三星电机株式会社
申请日：2023-12-21
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231147A
主分类号：H01G4/30
分类号：H01G4/30;H01G4/12
优先权：["20221221 KR 10-2022-0180177"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本公开提供一种多层电子组件，所述多层电子组件包括：主体，包括电容形成部，所述电容形成部包括介电层和内电极，并且所述主体包括第一表面至第六表面；外电极，分别设置在所述主体的所述第三表面和所述第四表面上；以及侧边缘部，分别设置在所述主体的所述第五表面和所述第六表面上，其中，所述侧边缘部的BaTi摩尔比满足大于1.025且小于1.035，并且高于所述电容形成部的BaTi摩尔比，其中，包括在所述侧边缘部中的Mg基于100摩尔Ti的摩尔数大于1.0摩尔且小于2.0摩尔，并且其中，包括在所述侧边缘部中的Sn基于100摩尔Ti的摩尔数大于等于0.01摩尔且小于5.0摩尔。
主权项：1.一种多层电子组件，包括：主体，包括电容形成部，所述电容形成部包括介电层以及与所述介电层在第一方向上交替地设置的内电极，并且所述主体包括在所述第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；外电极，分别设置在所述主体的所述第三表面和所述第四表面上；以及侧边缘部，分别设置在所述主体的所述第五表面和所述第六表面上，其中，所述侧边缘部的BaTi摩尔比满足大于1.025且小于1.035，并且高于所述电容形成部的BaTi摩尔比，其中，包括在所述侧边缘部中的Mg基于100摩尔Ti的摩尔数大于1.0摩尔且小于2.0摩尔，并且其中，包括在所述侧边缘部中的Sn基于100摩尔Ti的摩尔数大于等于0.01摩尔且小于5.0摩尔。
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