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申请/专利权人：联合微电子中心有限责任公司
摘要：本发明涉及一种背向集成激光器件，包括基底、所述基底二氧化硅层内设的波导结构、有源激光器件，有源激光器件通过半导体材料层与基底二氧化硅层键合，有源激光器件上部设有第一金属电极，基底二氧化硅层内设有第二金属电极结构，第二金属电极结构位于波导结构两侧且与波导结构不接触；第二金属电极结构上方全部或部分覆盖有有源层，第二金属电极结构包括互联金属层和电极金属层，电极金属层有至少两部分拼接而成。本发明还涉及一种背向集成激光器的制造方法，包括，对SOI晶圆制造工艺和外延片制造工艺。本发明的一种背向集成激光器的制造方法，降低器件电阻，提高器件效率，降低缺陷复合，提高器件载流子注入效率。
主权项：1.一种背向集成激光器件，包括基底、所述基底二氧化硅层内设的波导结构、有源激光器件，有源激光器件通过半导体材料层与基底二氧化硅层键合，有源激光器件上部设有第一金属电极，其特征在于，所述基底二氧化硅层内设有第二金属电极结构，所述第二金属电极结构位于波导结构两侧且与波导结构不接触；所述第二金属电极结构上方全部或部分覆盖有有源层，所述第二金属电极结构包括互联金属层和电极金属层，所述有源层一侧表面沉积透明绝缘层且于所述互联金属层相应位置除去所述绝缘层形成凹槽，所述电极金属层至少有与所述波导结构的两侧互联金属层导通形成的金属层电极第一部分和绝缘层的凹槽内沉积电极金属形成金属层电极第二部分的两部分拼接而成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 联合微电子中心有限责任公司 一种背向集成激光器件及其制造方法
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