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申请/专利权人：深圳市高特微电子有限公司
申请日：2023-11-09
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN221201171U
主分类号：H01L23/60
分类号：H01L23/60;H01L23/495;H01L25/07
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权
摘要：本实用新型公开了一种双向双通道低电容值大功率静电防护芯片，包括通过环氧树脂塑料半包裹的金属引线框架、单向静电防护二极管芯片、单向降容二极管芯片和金属导线；四颗单向静电防护二极管芯片分别设置在金属引线框架的1脚和2脚的上方及3脚的下方，四颗单向降容二极管芯片分别设置在金属引线框架的1脚和2脚的下方及3脚的上方，金属引线框架的1脚和2脚上的单向静电防护二极管芯片分别与3脚上相邻的单向降容二极管芯片通过金属导线相连，金属引线框架的1脚和2脚上的单向降容二极管芯片分别与3脚上的相邻的单向静电防护二极管芯片通过金属导线相连。本实用新型结构设计合理，布线更简单，减少印刷电路板面积及贴片次数，降低了成本。
主权项：1.一种双向双通道低电容值大功率静电防护芯片，其特征在于，包括通过环氧树脂塑料5半包裹的金属引线框架1、单向静电防护二极管芯片2、单向降容二极管芯片3和金属导线4；四颗单向静电防护二极管芯片2分别设置在金属引线框架1的1脚和2脚的上方及3脚的下方，四颗单向降容二极管芯片3分别设置在金属引线框架1的1脚和2脚的下方及3脚的上方，金属引线框架1的1脚和2脚上的单向静电防护二极管芯片2分别与3脚上相邻的单向降容二极管芯片3通过金属导线4相连，金属引线框架1的1脚和2脚上的单向降容二极管芯片3分别与3脚上的相邻的单向静电防护二极管芯片2通过金属导线4相连。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市高特微电子有限公司 一种双向双通道低电容值大功率静电防护芯片
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