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申请/专利权人：三星电子株式会社
申请日：2023-11-03
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248199A
主分类号：G11C16/10
分类号：G11C16/10;G11C16/30;G11C16/08;G11C16/24
优先权：["20221222 KR 10-2022-0181303"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：提供了非易失性存储器装置和对其中的数据进行编程的方法。在对非易失性存储器装置中的数据进行编程的方法中，非易失性存储器装置包括存储器单元和页缓冲器，所述多个存储器单元电连接到字线和位线，并且页缓冲器控制存储器单元。在第一编程循环的第一编程时段中，将具有第一编程电压的编程电压施加到选择的字线，并且将具有第一延迟的位线切断信号施加到页缓冲器，选择的字线与目标存储器单元电连接。在一个编程循环期间编程电压被多次施加到选择的字线，同时编程电压的大小被改变。位线切断信号的延迟对应于位线切断信号维持地电压的时段。
主权项：1.一种对非易失性存储器装置中的数据进行编程的方法，非易失性存储器装置包括多个存储器单元和被配置为控制所述多个存储器单元的页缓冲器，其中，所述多个存储器单元电连接到多条字线和多条位线，所述方法包括：在第一编程循环的第一编程时段中，将具有第一编程电压的编程电压施加到选择的字线，选择的字线与被执行编程操作的目标存储器单元电连接；以及在第一编程时段中，将具有第一延迟的位线切断信号施加到页缓冲器，其中，在一个编程循环期间编程电压被多次施加到选择的字线，同时编程电压的大小针对编程电压被施加的多次中的每次而被改变，其中，随着编程电压的大小增大，位线切断信号的延迟增大，并且其中，位线切断信号的延迟对应于位线切断信号维持地电压的时段。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 非易失性存储器装置和对其中的数据进行编程的方法
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