申请/专利权人：苏州大学

申请日：2024-04-12

公开（公告）日：2024-06-25

公开（公告）号：CN118246395A

主分类号：G06F30/392

分类号：G06F30/392

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.06.25#公开

摘要：本发明涉及一种基于寄生电容的多层绕组高频变压器设计方法，包括：获取多层绕组高频变压器中原边绕组与副边绕组的规格参数，绕组两端电压、磁芯电压，以及不同位置的分布电容，输入总寄生电容计算模型中，获取多层绕组高频变压器的总寄生电容值；根据总寄生电容值，调整原边绕组与副边绕组的规格参数，直至总寄生电容值满足预设电容值范围，获取当前原边绕组与副边绕组的规格参数，得到目标多层绕组高频变压器。多层绕组高频变压器总寄生电容计算模型为原边绕组层与层之间的寄生电容计算模型、最内层绕组与磁芯之间的寄生电容计算模型、原边绕组与副边绕组之间的寄生电容计算模型以及副边绕组层与层之间的寄生电容计算模型的和。

主权项：1.一种基于寄生电容的多层绕组高频变压器设计方法，其特征在于，包括：获取多层绕组高频变压器中原边绕组与副边绕组的规格参数，原边绕组两端电压、副边绕组两端电压、磁芯电压，以及不同位置的分布电容，输入总寄生电容计算模型中，获取多层绕组高频变压器的总寄生电容值；根据多层绕组高频变压器的总寄生电容值，调整多层绕组高频变压器中原边绕组与副边绕组的规格参数，直至多层绕组高频变压器的总寄生电容值满足预设电容值范围，获取当前原边绕组与副边绕组的规格参数，得到目标多层绕组高频变压器；所述总寄生电容计算模型的获取，包括：基于原边绕组的规格参数、两端电压与分布电容，获取原边绕组层与层之间的总电场能量；将原边绕组层与层之间的寄生电容与原边绕组两端电压，带入电容储能公式中，获取原边绕组层与层之间的寄生电容储存能量；基于能量相等法，令原边绕组层与层之间的总电场能量与寄生电容储存能量相等，获取原边绕组层与层之间的寄生电容计算模型；基于最内层绕组与磁芯之间的分布电容、原边绕组的规格参数与两端电压，以及磁芯电压，获取最内层绕组与磁芯之间的总电场能量；将最内层绕组与磁芯之间的分布电容与原边绕组两端电压，带入电容储能公式中，获取最内层绕组与磁芯之间的寄生电容储存能量；基于能量相等法，令最内层绕组与磁芯之间的总电场能量与寄生电容储存能量相等，获取最内层绕组与磁芯之间的寄生电容计算模型；基于原边绕组与副边绕组之间的分布电容、原边绕组的规格参数与两端电压，以及副边绕组的规格参数与两端电压，获取原边绕组与副边绕组之间的总电场能量；将原边绕组与副边绕组之间的分布电容与原边绕组两端电压，带入电容储能公式中，获取原边绕组与副边绕组之间的寄生电容储存能量；基于能量相等法，令原边绕组与副边绕组之间的总电场能量与寄生电容储存能量相等，获取原边绕组与副边绕组之间的寄生电容计算模型；基于副边绕组的规格参数、两端电压与分布电容，获取副边绕组层与层之间的总电场能量；将副边绕组层与层之间的寄生电容与副边绕组两端电压，带入电容储能公式中，获取副边绕组层与层之间的寄生电容储存能量；基于能量相等法，令副边绕组层与层之间的总电场能量与寄生电容储存能量相等，获取副边绕组层与层之间的寄生电容计算模型；对所述原边绕组层与层之间的寄生电容计算模型、所述最内层绕组与磁芯之间的寄生电容计算模型、所述原边绕组与副边绕组之间的寄生电容计算模型与所述副边绕组层与层之间的寄生电容计算模型求和，获取多层绕组高频变压器的总寄生电容计算模型。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州大学 一种基于寄生电容的多层绕组高频变压器设计方法及装置

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