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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种半导体器件包括：线结构，在下部结构上，并且包括导电图案和在导电图案上的绝缘封盖图案；接触结构，包括下部和在下部上的上部，该下部与线结构的侧表面相邻；在接触结构的下部的侧表面和线结构的侧表面之间的间隔物结构；在间隔物结构上的绝缘分离图案；以及在接触结构的上部和绝缘分离图案之间的保护层。间隔物结构包括内部间隔物、外部间隔物以及在内部间隔物和外部间隔物之间的气隙。内部间隔物和外部间隔物的由气隙暴露的区域包括氧化物。绝缘分离图案密封气隙的上部的至少一部分。
主权项：1.一种半导体器件，包括：第一线结构和第二线结构，彼此平行地延伸；多个间隔物结构，其中，所述多个间隔物结构中的每个间隔物结构设置在所述第一线结构和所述第二线结构的侧表面中的对应侧表面上；接触结构，包括下部和在所述下部上的上部，所述下部设置在所述第一线结构和所述第二线结构之间；在所述接触结构的所述上部的侧表面上的绝缘分离图案；以及保护层，包括第一保护部分，所述第一保护部分设置在所述绝缘分离图案和所述接触结构的所述上部之间，其中，所述多个间隔物结构包括在所述第一线结构的第一侧表面上的第一间隔物结构和在所述第二线结构的第二侧表面上的第二间隔物结构，其中，所述第一线结构的所述第一侧表面和所述第二线结构的所述第二侧表面彼此面对，其中，所述第一间隔物结构的至少一部分设置在所述第一线结构的所述第一侧表面和所述接触结构的所述下部之间，其中，所述第二间隔物结构的至少一部分设置在所述第二线结构的所述第二侧表面和所述接触结构的所述下部之间，其中，所述第一间隔物结构包括：内部间隔物，接触所述第一线结构的所述第一侧表面；外部间隔物，与所述第一线结构的所述第一侧表面间隔开；以及在所述内部间隔物和所述外部间隔物之间的气隙，其中，所述内部间隔物包括具有氧化物的第一区域，并且所述外部间隔物包括具有氧化物的第二区域，并且其中，所述气隙设置在所述第一区域和所述第二区域之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 包括具有气隙的间隔物结构的半导体器件
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