龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：厦门大学
申请日：2024-03-29
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118251119A
主分类号：H10N70/20
分类号：H10N70/20;G06N3/063;H10N70/00;B82Y10/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明公开了一种基于离子浓差的纳流忆阻器，包括具有尖端开口和底端开口的锥形纳米孔道，底端开口的口径大于尖端开口；锥形纳米孔道的内部环境中存在第一电解质溶液，与尖端开口导通的外部环境中存在第二电解质溶液，第一电解质溶液和第二电解质溶液具有离子浓度差异并在外加电场的作用下产生忆阻效应；通过调控第一电解质溶液和第二电解质溶液的离子浓度差异大小实现忆阻效应强度的改变或方向的反转，并应用于人工离子突触器件实现兴奋性突触、抑制性突触的模拟或转换。本发明可以灵活地调控忆阻强弱、模拟突触可塑性、抗外界磁场干扰，并由于水溶液测试环境，具有更强的生物相容性等优点。
主权项：1.一种基于离子浓差的纳流忆阻器，其特征在于：包括锥形纳米孔道，所述锥形纳米孔道具有尖端开口和底端开口，底端开口的口径大于尖端开口；所述锥形纳米孔道的内部环境中存在第一电解质溶液，与尖端开口导通的外部环境中存在第二电解质溶液，第一电解质溶液和第二电解质溶液具有离子浓度差异并在外加电场的作用下产生忆阻效应；通过调控第一电解质溶液和第二电解质溶液的离子浓度差异大小实现忆阻效应强度的改变或方向的反转。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门大学 基于离子浓差的纳流忆阻器和人工离子突触器件及应用
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号