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申请/专利权人：日产化学株式会社
申请日：2022-10-07
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118251753A
主分类号：H01L21/312
分类号：H01L21/312;C08K5/3445;C08L7/02;C08L63/00;C08L101/02;G03F7/11;G03F7/20;G03F7/26;G03F7/40;H01L21/027
优先权：["20211110 JP 2021-183272"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明提供能够形成对半导体用湿蚀刻液的耐性优异的保护膜的保护膜形成用组合物，其也能够有效地用作抗蚀剂下层膜形成用组合物。该组合物是针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含A具有能够在碱的存在下进行交联反应的反应基团的化合物或聚合物、B碱及C溶剂。
主权项：1.一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含:A具有能够在碱的存在下进行交联反应的反应基团的化合物或聚合物、B碱、及C溶剂。
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