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申请/专利权人：应用材料公司
申请日：2022-07-12
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118251758A
主分类号：H01L21/768
分类号：H01L21/768;H01L23/532;H01L21/285
优先权：["20210726 US 63/225,623","20210916 US 17/477,413"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本文提供用于填充基板中的特征的方法及相关设备的实施例。在一些实施例中，一种填充基板中的特征的方法包括：经由物理气相沉积PVD工艺在特征中沉积氮化钨的晶种层；经由PVD工艺在特征中的氮化钨的晶种层上沉积钨的衬垫层；及随后经由化学气相沉积CVD工艺以钨整体填充来填充特征。
主权项：1.一种填充基板中的特征的方法，包含：经由物理气相沉积PVD工艺在所述特征中沉积氮化钨的晶种层；经由PVD工艺在所述特征中的氮化钨的所述晶种层上沉积钨的衬垫层；及随后经由化学气相沉积CVD工艺以钨整体填充来填充所述特征。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 钨(W)间隙填充的增强应力调谐及界面粘附
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