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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司
摘要：本公开的实施例涉及横向DMOS结构中应力电压的受控切换。实施例涉及集成到半导体衬底中的电路，该电路具有横向场效应晶体管，该横向场效应晶体管具有漂移区和通过隔离区域与漂移区隔离的场板电极。该集成电路还包括与场板电极耦合的第一接头，用于在测试操作中将测试电压施加至场板电极。电子开关被设计为将场板电极连接到在集成电路正常操作期间处于参考电压的电路节点。该集成电路还包括第二接头，该第二接头与电子开关的控制接头连接、并且被设计为接收用于接通或关断电子开关的控制信号。
主权项：1.一种集成电路，包括：横向的场效应晶体管T1，具有漂移区104和通过隔离区域105与所述漂移区104隔离的场板电极C；第一接头VSTR，与所述场板电极C耦合，用于将测试电压VSTRESS施加至所述场板电极C；电子开关TD1，被设计为将所述场板电极C与电路节点REF；REF1连接，所述电路节点在所述集成电路的正常操作期间处于参考电压VREF；和第二接头ENSTRESS，与所述电子开关TD1、TE1的控制接头连接，并且所述第二接头被设计为接收用于接通或关断所述电子开关TD1的控制信号VEN。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 横向DMOS结构中应力电压的受控切换
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