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一种Bi3+和Y3+共掺杂AgNbO3反铁电储能陶瓷材料及其制备方法和应用 

申请/专利权人:河南师范大学

申请日:2024-03-15

公开(公告)日:2024-06-25

公开(公告)号:CN118239775A

主分类号:C04B35/495

分类号:C04B35/495;C04B35/622;H01G4/12

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.25#公开

摘要:本发明公开了一种Bi3+和Y3+共掺杂AgNbO3反铁电储能陶瓷材料及其制备方法和应用,该储能陶瓷材料的化学式为Ag1‑3xBixNb1‑3x5YxO3,其中0<x≤0.01,Bi3+和Y3+在AB位共掺杂AgNbO3反铁电储能陶瓷材料。本发明还具体公开了该Bi3+和Y3+共掺杂AgNbO3反铁电储能陶瓷材料的制备方法及其在制备陶瓷电容器中的应用。本发明通过简单、易于实现的技术工艺制备出具有pbcm空间群钙钛矿结构的AgNbO3基反铁电储能陶瓷材料,在提高其击穿场强(Eb)的同时也降低剩余极化值(Pr),并且能够有效提高储能密度及室温下反铁电相的稳定性。

主权项:1.一种Bi3+和Y3+共掺杂AgNbO3反铁电储能陶瓷材料,其特征在于:该储能陶瓷材料的化学式为Ag1-3xBixNb1-3x5YxO3,其中0<x≤0.01,Bi3+和Y3+在AB位共掺杂AgNbO3反铁电储能陶瓷材料。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 河南师范大学 一种Bi3+和Y3+共掺杂AgNbO3反铁电储能陶瓷材料及其制备方法和应用

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